基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法

	基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法
	叶甜春; 石莎莉; 陈大鹏; 欧毅; 景玉鹏
	2012-05-23
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710178776.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法，该方法包括：在硅衬底上表面淀积SiN_X薄膜；光刻，刻蚀该SiN_X薄膜，形成腐蚀窗口；腐蚀所述形成腐蚀窗口的硅衬底上表面，形成带硅突点的空腔；在硅衬底上表面淀积SiN_X薄膜，密封腐蚀窗口。本发明提供的方法工艺步骤简单，成本低廉，生产效率高，工艺稳定，具有很强的实用价值，能够适应大规模生产的要求。
公开日期	2009-06-10
申请日期	2007-12-05
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7698]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	叶甜春,石莎莉,陈大鹏,等. 基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法. CN200710178776.2. 2012-05-23.