| 单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 | |
| 徐静波; 张海英; 黎明; 付晓君 | |
| 2008-03-19 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN101540297 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种单片集成E/D GaAs MHEMT环形振荡器的制 作方法，包括：对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现 源漏的制备；采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽， 分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极， 实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制 作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，再长介质SiN，再进行光刻二次布 线Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。利用本发明，采用改良的E/D MHEMT工艺技术，制备出性能良好的MHEMT 9阶和15阶环型振荡 器，对E/D MHEMT制备工艺技术进行了验证，确保了内部器件特性 的测量更精确。 |
| 公开日期 | 2009-09-23 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7586]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐静波,张海英,黎明,等. 单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法. CN101540297. 2008-03-19. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论