利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法

	利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法
	金智
	2009-10-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN101562129
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法，该方法包括：A.在基片上涂布S18系列的光刻胶；B.将带有光刻胶的基片在显影液中浸泡；C.在低温下烘烤；D.曝光；E. 在较高温度下烘烤；F.显影。本发明提供了一种工艺简单，无毒、无害溶液处理的利用S18系列光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法，提高了光刻的精度和倒梯形侧沿的可控性。
公开日期	2009-10-21
申请日期	2008-04-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7554]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	金智. 利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法. CN101562129. 2009-10-21.