一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法 | |
刘明![]() ![]() ![]() | |
2011-09-21 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200810104760.1 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明是一种用于半导体器件制造的蒸发掩模漏版的制备方法。其工 艺步骤如下:1.在双面抛光的硅片衬底上形成聚酰亚胺薄膜层;2.在聚 酰亚胺薄膜层上形成光刻胶图形;3.在聚酰亚胺和光刻胶图形层上蒸发 金属层;4.剥离形成金属阻挡层;5.在卡具保护下从背面对硅衬底进行 腐蚀形成镂空的聚酰亚胺自支撑膜;6.在金属阻挡层的掩蔽下从正面进 行反应离子刻蚀形成聚酰亚胺掩模图形;7.去除金属阻挡层,完成聚酰 亚胺掩模漏版的制作。利用聚酰亚胺材料制作漏版,工艺难度小,图形尺 寸精度高,制造成本低,适合于有机半导体器件制备领域的大面积图形化 过程。 |
公开日期 | 2009-10-28 |
申请日期 | 2008-04-23 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7538] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,商立伟,甄丽娟,等. 一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法. CN200810104760.1. 2011-09-21. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论