一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法

	一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法
	刘明; 商立伟; 甄丽娟; 刘舸; 刘兴华; 涂德钰
	2011-09-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810104760.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明是一种用于半导体器件制造的蒸发掩模漏版的制备方法。其工艺步骤如下：1.在双面抛光的硅片衬底上形成聚酰亚胺薄膜层；2.在聚酰亚胺薄膜层上形成光刻胶图形；3.在聚酰亚胺和光刻胶图形层上蒸发金属层；4.剥离形成金属阻挡层；5.在卡具保护下从背面对硅衬底进行腐蚀形成镂空的聚酰亚胺自支撑膜；6.在金属阻挡层的掩蔽下从正面进行反应离子刻蚀形成聚酰亚胺掩模图形；7.去除金属阻挡层，完成聚酰亚胺掩模漏版的制作。利用聚酰亚胺材料制作漏版，工艺难度小，图形尺寸精度高，制造成本低，适合于有机半导体器件制备领域的大面积图形化过程。
公开日期	2009-10-28
申请日期	2008-04-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7538]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,商立伟,甄丽娟,等. 一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法. CN200810104760.1. 2011-09-21.