应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法

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	应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法
	涂德钰; 甄丽娟; 刘舸; 刘兴华; 商立伟; 刘明
	2011-10-26
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810119085.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构，该结构由有机半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属薄膜构成。对于顶接触式器件结构，该第一层金属薄膜为高功函数金属薄膜，该第二层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第一层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触，该第二层金属薄膜与互连线接触。对于底接触式器件结构，该第一层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第二层金属薄膜为高功函数金属薄膜，该第二层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触，且该第二层金属薄膜与互连线接触。本发明同时公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构的制备方法。利用本发明，能够在不降低器件性能前提下多方面降低成本，推动有机电路的实用化。
公开日期	2010-03-03
申请日期	2008-08-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7508]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	涂德钰,甄丽娟,刘舸,等. 应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法. CN200810119085.X. 2011-10-26.