应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法 | |
涂德钰; 甄丽娟; 刘舸; 刘兴华![]() ![]() ![]() | |
2011-10-26 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200810119085.X |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构,该结构由有机 半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属 薄膜构成。对于顶接触式器件结构,该第一层金属薄膜为高功函数金属薄 膜,该第二层金属薄膜为廉价金属薄膜,该第一层金属薄膜与有机半导体 薄膜直接接触,该第二层金属薄膜与互连线接触。对于底接触式器件结构, 该第一层金属薄膜为廉价金属薄膜,该第二层金属薄膜为高功函数金属薄 膜,该第二层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触,且该第二层金属薄膜 与互连线接触。本发明同时公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构 的制备方法。利用本发明,能够在不降低器件性能前提下多方面降低成本, 推动有机电路的实用化。 |
公开日期 | 2010-03-03 |
申请日期 | 2008-08-28 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7508] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 涂德钰,甄丽娟,刘舸,等. 应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法. CN200810119085.X. 2011-10-26. |
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