采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法

	采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法
	赵以贵; 刘明; 牛洁斌
	2011-10-12
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810222329.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，该方法是利用电子束光刻在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。具体步骤包括：在压电衬底上涂敷电子抗蚀剂；前烘；生长对电子束曝光背散射小的金属材料；电子束直写曝光；去除金属层；显影；定影；生长叉指电极金属；剥离。采用这种方法制作的叉指电极的边缘陡直，宽度控制好，可用于制作特征线宽在500nm以下各种声表面波器件。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠的优点。
公开日期	2010-03-24
申请日期	2008-09-17
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7492]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵以贵,刘明,牛洁斌. 采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法. CN200810222329.7. 2011-10-12.