| 一种制备ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管的方法 | |
| 黎明; 付晓君; 徐静波 | |
| 2008-12-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN101752257A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种制备ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管的方法，包括：高掺杂的P++衬底准备；在高掺杂的P++衬底的正面蒸发一层SiO2形成栅氧；采用HF湿法腐蚀去掉高掺杂P++衬底背面的氧化层，背金形成栅极；在栅氧上光刻蒸发源漏金属电极；采用乙醇水解超声的方法使ZnO纳米线从本征玻璃衬底上面剥离下来；将剥离下来的单条ZnO纳米线随机滴入P型Si衬底的源漏金属电极上进行定位，使ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道将源漏电极搭接起来，形成ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。 |
| 公开日期 | 2010-06-23 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7424]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎明,付晓君,徐静波. 一种制备ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管的方法. CN101752257A. 2008-12-17. |
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