一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法

	一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法
	徐秋霞; 刘明; 王云翔; 陈宝钦
	2008-05-28
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200510008008.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明是用一种负性化学放大抗蚀剂(其具体代号为SAL601)实现曝光50nm图形的方法，涉及电子束光刻技术领域。该方法包括：采用合适的前后烘温度；优化的曝光条件；合适的曝光剂量；对设计图形进行适当的修正；消除场拼接对图形质量的影响；合适的邻近效应参数；优化的显影条件等特点，最终制备出分辨率非常高的50nm图形。本发明方法，大大提高了SAL601化学放大抗蚀剂的分辨率，使我们在无法购买到更高分辨率抗蚀剂的情况下也能曝光出分辨率非常高的图形。本发明方法是一种经济实用的制造50nm图形的新方法，为进一步研制亚 50nm器件打下了良好基础。
公开日期	2006-08-16
申请日期	2005-02-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7334]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐秋霞,刘明,王云翔,等. 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法. CN200510008008.3. 2008-05-28.