一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法 | |
徐秋霞; 刘明![]() ![]() | |
2008-05-28 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200510008008.3 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明是用一种负性化学放大抗蚀剂(其具体代号为SAL601)实现 曝光50nm图形的方法,涉及电子束光刻技术领域。该方法包括:采用 合适的前后烘温度;优化的曝光条件;合适的曝光剂量;对设计图形进 行适当的修正;消除场拼接对图形质量的影响;合适的邻近效应参数; 优化的显影条件等特点,最终制备出分辨率非常高的50nm图形。本发 明方法,大大提高了SAL601化学放大抗蚀剂的分辨率,使我们在无法 购买到更高分辨率抗蚀剂的情况下也能曝光出分辨率非常高的图形。本 发明方法是一种经济实用的制造50nm图形的新方法,为进一步研制亚 50nm器件打下了良好基础。 |
公开日期 | 2006-08-16 |
申请日期 | 2005-02-07 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7334] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,刘明,王云翔,等. 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法. CN200510008008.3. 2008-05-28. |
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