全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法

	全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法
	谢常青; 刘明; 陈宝钦
	2009-04-15
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200510056280.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种采用全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法，具有优化处理的掩模图形数据；合适的掩模图形曝光工艺；合适的显影条件；严格控制铬模腐蚀条件；曝光后的掩模处理工艺；选择干法刻蚀的移相器制作工艺，合适的移相层厚度的确定等特点，且采用g线436nm波长的光源制备出分辨率高的100nm图形。本发明方法，大大提高了g线436nm 波长光源的曝光分辨率，使得我们在没有昂贵的193nm波长光源的光学光刻设备(在1100万美元)的情况下，也能曝光出分辨率非常高的图形。本发明是一种经济实用的制造100nm图形的新方法，可以满足纳米电子器件研究迫切需要廉价的纳米加工手段的需求。
公开日期	2006-10-18
申请日期	2005-04-04
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7318]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢常青,刘明,陈宝钦. 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法. CN200510056280.9. 2009-04-15.