纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法

	纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法
	谢常青; 刘明; 涂德钰; 陈宝钦; 牛洁斌; 王丛舜
	2008-12-24
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200510126232.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种采用纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法，其工艺步骤如下：1.在压电基片上旋涂压印胶；2. 器件叉指图形和对准标记的压模并对其表面进行防粘连处理；3.将压模压入压印胶中，通过加热、加压或紫外光辐照固化等压印方式得到叉指和对准标记的胶图形；4.分离压模和基片；5.利用氧等离子干法刻蚀残胶，直到露出基片；6.溅射或蒸发电极材料；7.剥离得到叉指电极和对准标记图形；8.在基片上旋涂光刻胶；9.对声表面波器件的其余图形进行套准光刻；10.溅射或蒸发电极材料；11.剥离得到图形，完成声表面波器件的制备。
公开日期	2007-06-13
申请日期	2005-11-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7266]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢常青,刘明,涂德钰,等. 纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法. CN200510126232.2. 2008-12-24.