采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法

	采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法
	谢常青; 叶甜春; 陈大鹏; 欧毅; 石莎莉
	2009-06-03
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200510127446.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及微电子技术领域，特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下：1、在<100>硅基片上淀积SiN_X薄膜；2、光刻，刻蚀SiN_X薄膜，形成腐蚀窗口，去胶；3、腐蚀硅衬底，形成硅突点；4、表面淀积SiO₂薄膜牺牲层；5、光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀SiO₂薄膜孔，去铬，清洗处理表面；6、表面淀积SiN_X薄膜；7、积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀SiN_X薄膜和SiO₂薄膜腐蚀槽；8、腐蚀释放SiO₂薄膜牺牲层；9、表面淀积SiN_X薄膜，密封腐蚀槽。
公开日期	2007-06-13
申请日期	2005-12-02
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7260]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢常青,叶甜春,陈大鹏,等. 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法. CN200510127446.1. 2009-06-03.