采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 | |
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2009-06-03 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200510127446.1 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及微电子技术领域,特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下:1、在<100>硅基片上淀积SiNX薄膜;2、光刻,刻蚀SiNX薄膜,形成腐蚀窗口,去胶;3、腐蚀硅衬底,形成硅突点;4、表面淀积SiO2薄膜牺牲层;5、光刻,打底胶,表面淀积铬薄膜,剥离,刻蚀SiO2薄膜孔,去铬,清洗处理表面;6、表面淀积SiNX薄膜;7、积铬薄膜,光刻,去铬,刻蚀SiNX薄膜和SiO2薄膜腐蚀槽;8、腐蚀释放SiO2薄膜牺牲层;9、表面淀积SiNX薄膜,密封腐蚀槽。 |
公开日期 | 2007-06-13 |
申请日期 | 2005-12-02 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7260] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢常青,叶甜春,陈大鹏,等. 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法. CN200510127446.1. 2009-06-03. |
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