基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究
涂德钰; 刘明; 商立伟; 刘兴华; 王丛舜
刊名微电子学
2008
卷号38期号:2页码:3,215-217
关键词Rotaxane分子电子学 双稳态开关 交叉存储器
ISSN号1004-3365
英文摘要

利用微电子工艺制备了基于Rotaxane单分子层的双稳态分子电子器件,并对其电学特性进行了表征。研究发现,在Ti/Rotaxane/Au双稳态,器件具有可逆可重复的开关存储特性。将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为1.3V,将低阻态转变为高阻态的负向开关阈值电压仅为-1.7V。这种基于Rotaxane交叉结构的有机双稳态器件可望应用于非易失性分子存储器。

语种中文
公开日期2010-05-27
内容类型期刊论文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/2054]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
涂德钰,刘明,商立伟,等. 基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究[J]. 微电子学,2008,38(2):3,215-217.
APA 涂德钰,刘明,商立伟,刘兴华,&王丛舜.(2008).基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究.微电子学,38(2),3,215-217.
MLA 涂德钰,et al."基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究".微电子学 38.2(2008):3,215-217.
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