新型金属源／漏工程新进展

	新型金属源／漏工程新进展
	尚海平; 徐秋霞
刊名	微电子学
	2008
卷号	38 期号:4 页码:6，524-529
关键词	Mosfet 短沟道效应金属源／漏金属硅化物肖特基势垒调节肖特基势垒源／漏
ISSN号	1004-3365
英文摘要	当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后，金属源／漏（S／D）结构具有一系列的优点：原子级突变结能够抑制短沟道效应（SCE），低S／D串联电阻和接触电阻，S／D形成的低温工艺适宜集成高k栅介质、金属栅和应变硅等新材料，使之成为掺杂硅S／D结构最有希望的替代者。文章主要介绍形成低肖特基势垒高度（SBH，Schottky Barrier Height）结材料的选择，以及采用杂质分凝、界面工程和应变工程等肖特基势垒调节技术的主要制备工艺和势垒调节机理。
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1950]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	尚海平,徐秋霞. 新型金属源／漏工程新进展[J]. 微电子学,2008,38(4):6，524-529.
APA	尚海平,&徐秋霞.(2008).新型金属源／漏工程新进展.微电子学,38(4),6，524-529.
MLA	尚海平,et al."新型金属源／漏工程新进展".微电子学 38.4(2008):6，524-529.