具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性 | |
魏珂![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2008 | |
卷号 | 29期号:3页码:5,554-558 |
关键词 | Algan/gan 高迁移率晶体管 肖特基特性 击穿电压 场板结构 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 研制成功具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37μA减小到5.7μA,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1920] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏珂,刘新宇,和致经,等. 具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性[J]. 半导体学报,2008,29(3):5,554-558. |
APA | 魏珂,刘新宇,和致经,&吴德馨.(2008).具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.半导体学报,29(3),5,554-558. |
MLA | 魏珂,et al."具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性".半导体学报 29.3(2008):5,554-558. |
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