具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性

	具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性
	魏珂; 刘新宇; 和致经; 吴德馨
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:3 页码:5，554-558
关键词	Algan／gan 高迁移率晶体管肖特基特性击穿电压场板结构
ISSN号	0253-4177
英文摘要	研制成功具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖特基反向击穿电压．源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上，肖特基反向漏电由37μA减小到5．7μA，减小了一个量级．肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上．另外，还初步讨论了高频特性．
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1920]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	魏珂,刘新宇,和致经,等. 具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性[J]. 半导体学报,2008,29(3):5，554-558.
APA	魏珂,刘新宇,和致经,&吴德馨.(2008).具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性.半导体学报,29(3),5，554-558.
MLA	魏珂,et al."具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性".半导体学报 29.3(2008):5，554-558.