Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷

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	Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷
	蔡小五; 海潮和; 王立新; 陆江; 刘刚; 夏洋
刊名	功能材料与器件学报
	2008
卷号	14 期号:5 页码:4，927-930
关键词	Vdmos 辐照氧化物陷阱电荷界面态电荷
ISSN号	1007-4252
英文摘要	为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况，用Co-60源对Power MOSFET进行了总剂量的辐照实验，移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况，通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况。研究结果表明：在1000krad（Si）辐照下器件开启电压漂移小于2V，迁移率退化小于20％，氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态，小于2×10^11cm^-2。
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1812]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	蔡小五,海潮和,王立新,等. Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷[J]. 功能材料与器件学报,2008,14(5):4，927-930.
APA	蔡小五,海潮和,王立新,陆江,刘刚,&夏洋.(2008).Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷.功能材料与器件学报,14(5),4，927-930.
MLA	蔡小五,et al."Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷".功能材料与器件学报 14.5(2008):4，927-930.