超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究

	超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究
	钟兴华; 徐秋霞
刊名	电子器件
	2007
期号	2
关键词	击穿 Si3n4/sio2（n/o）叠层可靠性应力诱生漏电流（silc) Tddb特性
ISSN号	1005-9490
产权排序	1
英文摘要	实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构.
语种	英语
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1718]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	钟兴华,徐秋霞. 超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究[J]. 电子器件,2007(2).
APA	钟兴华,&徐秋霞.(2007).超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究.电子器件(2).
MLA	钟兴华,et al."超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究".电子器件 .2(2007).