超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究 | |
钟兴华; 徐秋霞 | |
刊名 | 电子器件
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2007 | |
期号 | 2 |
关键词 | 击穿 Si3n4/sio2(n/o)叠层 可靠性 应力诱生漏电流(silc) Tddb特性 |
ISSN号 | 1005-9490 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构. |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1718] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟兴华,徐秋霞. 超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究[J]. 电子器件,2007(2). |
APA | 钟兴华,&徐秋霞.(2007).超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究.电子器件(2). |
MLA | 钟兴华,et al."超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究".电子器件 .2(2007). |
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