用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅 | |
周华杰; 徐秋霞 | |
刊名 | 半导体学报
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2007 | |
卷号 | 28期号:10页码:7,1532_1539 |
关键词 | 金属栅 全硅化 硅化物 |
ISSN号 | 0253-4177 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明,通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数.通过注入p型或n型杂质,如BF2,As或P,能够将Ni全硅化物金属栅的功函数调高或调低,以分别满足pMOS管和nMOS管的要求.但是注入大剂量的As杂质会导致分层现象和EOT变大,因此As不适合用来调节Ni全硅化物金属栅的栅功函数.由于FUSI工艺会导致全硅化金属栅电容EOT减小,全硅化金属栅电容的栅极泄漏电流大于多晶硅栅电容. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1618] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周华杰,徐秋霞. 用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅[J]. 半导体学报,2007,28(10):7,1532_1539. |
APA | 周华杰,&徐秋霞.(2007).用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅.半导体学报,28(10),7,1532_1539. |
MLA | 周华杰,et al."用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅".半导体学报 28.10(2007):7,1532_1539. |
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