用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅

	用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅
	周华杰; 徐秋霞
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:10 页码:7,1532_1539
关键词	金属栅全硅化硅化物
ISSN号	0253-4177
产权排序	1
英文摘要	研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明，通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数.通过注入p型或n型杂质，如BF2，As或P，能够将Ni全硅化物金属栅的功函数调高或调低,以分别满足pMOS管和nMOS管的要求.但是注入大剂量的As杂质会导致分层现象和EOT变大,因此As不适合用来调节Ni全硅化物金属栅的栅功函数.由于FUSI工艺会导致全硅化金属栅电容EOT减小,全硅化金属栅电容的栅极泄漏电流大于多晶硅栅电容.
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1618]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	周华杰,徐秋霞. 用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅[J]. 半导体学报,2007,28(10):7,1532_1539.
APA	周华杰,&徐秋霞.(2007).用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅.半导体学报,28(10),7,1532_1539.
MLA	周华杰,et al."用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅".半导体学报 28.10(2007):7,1532_1539.