90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响 | |
李兵![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 半 导 体 学 报
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2007 | |
卷号 | 28期号:10页码:4,1611_1614 |
关键词 | 等离子体 |
ISSN号 | 0253_4177 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多 晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器( 朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值;当等离子体处于局部加热状态时,绝大部分 的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化 . |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1542] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李兵,张庆钊,谢常青,等. 90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响[J]. 半 导 体 学 报,2007,28(10):4,1611_1614. |
APA | 李兵,张庆钊,谢常青,刘明,&朱效立.(2007).90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响.半 导 体 学 报,28(10),4,1611_1614. |
MLA | 李兵,et al."90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响".半 导 体 学 报 28.10(2007):4,1611_1614. |
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