90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响

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	90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响
	李兵; 张庆钊; 谢常青; 刘明; 朱效立
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:10 页码:4,1611_1614
关键词	等离子体
ISSN号	0253_4177
产权排序	1
英文摘要	通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器( 朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值；当等离子体处于局部加热状态时，绝大部分的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1542]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李兵,张庆钊,谢常青,等. 90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响[J]. 半导体学报,2007,28(10):4,1611_1614.
APA	李兵,张庆钊,谢常青,刘明,&朱效立.(2007).90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响.半导体学报,28(10),4,1611_1614.
MLA	李兵,et al."90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响".半导体学报 28.10(2007):4,1611_1614.