面向5GHz无线应用的单片InGaP／GaAs HBT压控振荡器

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 回溯数据库（1992-2008年）

	面向5GHz无线应用的单片InGaP／GaAs HBT压控振荡器
	陈立强; 张健; 李志强; 陈普锋; 张海英
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:6 页码:6,823_828
关键词	压控振荡器
ISSN号	0253_4177
产权排序	1
英文摘要	介绍了一种由商用In GaP／GaAs异质结双极晶体管工艺制成基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz 频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过 300MHz,为 4.17～4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为一ll2dBc／ Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为 0 ~2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为一1 73.2dBc.Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法．
语种	英语
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1514]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈立强,张健,李志强,等. 面向5GHz无线应用的单片InGaP／GaAs HBT压控振荡器[J]. 半导体学报,2007,28(6):6,823_828.
APA	陈立强,张健,李志强,陈普锋,&张海英.(2007).面向5GHz无线应用的单片InGaP／GaAs HBT压控振荡器.半导体学报,28(6),6,823_828.
MLA	陈立强,et al."面向5GHz无线应用的单片InGaP／GaAs HBT压控振荡器".半导体学报 28.6(2007):6,823_828.