一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统

	一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统
	和致经; 张海英; 李海鸥; 尹军舰; 叶甜春
刊名	电子器件
	2006
卷号	29 期号:1 页码:9-11,109
关键词	膺配高电子迁移率晶体管欧姆接触退火砷化镓
ISSN号	1005-9490
产权排序	1
英文摘要	研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理，并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统（Ni／Gre／Au,／Ge／Ni／Au）,在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50-120s合金时间下形成欧姆接触，在400℃、60s下典型的欧姆接触值为2．1×10^-7Ω·cm^2，同时合金后表面形貌光滑、平整。
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1434]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	和致经,张海英,李海鸥,等. 一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统[J]. 电子器件,2006,29(1):9-11,109.
APA	和致经,张海英,李海鸥,尹军舰,&叶甜春.(2006).一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统.电子器件,29(1),9-11,109.
MLA	和致经,et al."一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统".电子器件 29.1(2006):9-11,109.