W—CDMA手机用功放的临道泄漏的低频因素分析

	W—CDMA手机用功放的临道泄漏的低频因素分析
	阎跃鹏; 李井龙
刊名	电子器件
	2006
卷号	29 期号:2 页码:476-479
关键词	低频因素三阶交调临近信道功率泄漏临近信道功率比
ISSN号	1005-9490
产权排序	1
英文摘要	分析了W-CDMA移动终端用功率放大器在AB类工作状态下由低频因素引起的非线性失真的机理，利用频域分析的方法建立了放大器的数学模型。通过模型计算了低频因素和三次交调对临近信道功率泄漏的影响，实验结果表明大功率输出时低频因素引起的临近信道功率比的恶化可达3．4dB。
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1418]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	阎跃鹏,李井龙. W—CDMA手机用功放的临道泄漏的低频因素分析[J]. 电子器件,2006,29(2):476-479.
APA	阎跃鹏,&李井龙.(2006).W—CDMA手机用功放的临道泄漏的低频因素分析.电子器件,29(2),476-479.
MLA	阎跃鹏,et al."W—CDMA手机用功放的临道泄漏的低频因素分析".电子器件 29.2(2006):476-479.