DBRTD直流特性的水动力学模拟
刘明; 谢常青; 王从舜; 易里成荣; 叶甜春
刊名电子器件
2006
卷号29期号:2页码:365-368
关键词双势垒共振隧穿二极管 器件模拟 水动力学模型 直流特性
ISSN号1005-9490
产权排序1
英文摘要

利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/inGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度、子阱厚度、间隔层厚度、掺杂浓度改变时。可以观察到DBRTD直流特性也随之改变。采用薄的子阱厚度、高的掺杂浓度以及恰当的间隔层厚度、势垒厚度和高度,可以提高RTD器件的峰谷电流比(PVCR)和峰电流密度,从而满足实际应用的需要。

语种中文
公开日期2010-05-26
内容类型期刊论文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1412]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘明,谢常青,王从舜,等. DBRTD直流特性的水动力学模拟[J]. 电子器件,2006,29(2):365-368.
APA 刘明,谢常青,王从舜,易里成荣,&叶甜春.(2006).DBRTD直流特性的水动力学模拟.电子器件,29(2),365-368.
MLA 刘明,et al."DBRTD直流特性的水动力学模拟".电子器件 29.2(2006):365-368.
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