纳电子器件的少电子输运性质及应用

	纳电子器件的少电子输运性质及应用
	刘明; 陈杰智; 施毅; 濮林; 郑有炓
刊名	固体电子学研究与进
	2006
卷号	26 期号:4 页码:427-431
关键词	纳电子器件少电子输运库仑阻塞近藤效应
ISSN号	1000-3819
产权排序	4
英文摘要	在介绍纳电子器件基本输运理论基础上，着重分析量子点结构器件模型，讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况，以及电子自旋的影响，特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1328]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,陈杰智,施毅,等. 纳电子器件的少电子输运性质及应用[J]. 固体电子学研究与进,2006,26(4):427-431.
APA	刘明,陈杰智,施毅,濮林,&郑有炓.(2006).纳电子器件的少电子输运性质及应用.固体电子学研究与进,26(4),427-431.
MLA	刘明,et al."纳电子器件的少电子输运性质及应用".固体电子学研究与进 26.4(2006):427-431.