一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法

	一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法
	康晓辉; 李志刚; 刘明; 谢常青; 陈宝钦
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:3 页码:5，455-459
关键词	电子束光刻
ISSN号	0253-4177
英文摘要	在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下，提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α，β和η的新方法．该方法使用单线条作为测试图形．为了避免测定光刻胶的显影阈值，在实验数据处理中使用归一化方法．此外，用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1210]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	康晓辉,李志刚,刘明,等. 一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法[J]. 半导体学报,2005,26(3):5，455-459.
APA	康晓辉,李志刚,刘明,谢常青,&陈宝钦.(2005).一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法.半导体学报,26(3),5，455-459.
MLA	康晓辉,et al."一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法".半导体学报 26.3(2005):5，455-459.