基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取

	基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取
	李瑞贞; 韩郑生
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:8 页码:5，1676-1680
关键词	遗传算法 Soi 参数提取
ISSN号	0253-4177
英文摘要	摘要：提出了一种提取BSIM SOI模型参数的新方法，该方法基于遗传算法和局部优化法的结合，同时具有全局优化和局部优化的优点，提取的参数物理意义明确，并且容易得到全局最优解．该方法计算简单，不需要对模型进行深入了解和丰富的参数提取经验，易于推广使用．对用该方法得到的SOI模型进行了模拟，并将模拟结果与1．2μmCMOS／SOI测试结果进行对比，二者吻合很好，SOI器件特有的kink效应也得到了很好的拟合．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1138]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李瑞贞,韩郑生. 基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取[J]. 半导体学报,2005,26(8):5，1676-1680.
APA	李瑞贞,&韩郑生.(2005).基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取.半导体学报,26(8),5，1676-1680.
MLA	李瑞贞,et al."基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取".半导体学报 26.8(2005):5，1676-1680.