高性能新结构InGaP／GaAs异质结双极型晶体管

	高性能新结构InGaP／GaAs异质结双极型晶体管
	孙海锋; 白大夫; 刘训春; 王润梅; 袁志鹏
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:7 页码:756-761
关键词	异质结双极型晶体管 U形发射极自对准发射极热处理能力 Pacc 7340j Eeacc 2560f 2550e 2550r
ISSN号	0253-4177
产权排序	1
英文摘要	报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP／GaAsHBT．采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz，最大振荡频率达到140GHz的频率特性．这种新结构的HBT的击穿电压达到25V，有利于在大功率领域应用．而残余电压只有105mV，拐点电压只有0．50V，使其更适用于低功耗应用．同时，还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异．
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/994]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	孙海锋,白大夫,刘训春,等. 高性能新结构InGaP／GaAs异质结双极型晶体管[J]. 半导体学报,2004,25(7):756-761.
APA	孙海锋,白大夫,刘训春,王润梅,&袁志鹏.(2004).高性能新结构InGaP／GaAs异质结双极型晶体管.半导体学报,25(7),756-761.
MLA	孙海锋,et al."高性能新结构InGaP／GaAs异质结双极型晶体管".半导体学报 25.7(2004):756-761.