一种高性能的新结构IGBT | |
李俊峰![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2003 | |
卷号 | 24期号:6页码:6,586-591 |
关键词 | 缓冲层 深穿通 Npt-igbt 透明发射区 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 提出了一种低功率损耗的新结构IGBT,该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分,虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性,该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷。实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/884] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李俊峰,程序,吴郁,等. 一种高性能的新结构IGBT[J]. 半导体学报,2003,24(6):6,586-591. |
APA | 李俊峰.,程序.,吴郁.,刘兴明.,王哲.,...&韩郑生.(2003).一种高性能的新结构IGBT.半导体学报,24(6),6,586-591. |
MLA | 李俊峰,et al."一种高性能的新结构IGBT".半导体学报 24.6(2003):6,586-591. |
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