一种高性能的新结构IGBT

	一种高性能的新结构IGBT
	李俊峰; 程序; 吴郁; 刘兴明; 王哲; 亢宝位; 韩郑生
刊名	半导体学报
	2003
卷号	24 期号:6 页码:6，586-591
关键词	缓冲层深穿通 Npt-igbt 透明发射区
ISSN号	0253-4177
英文摘要	提出了一种低功率损耗的新结构IGBT,该新结构的创新点在于其复合耐压层结构，该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分，虽然在正常工作条件下，该新结构IGBT工作于穿通状态，但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性，该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度，从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷。实验结果表明：与NPT-IGBT相比较，新结构IGBT的功率损耗降低了40％。
语种	中文
公开日期	2010-05-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/884]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李俊峰,程序,吴郁,等. 一种高性能的新结构IGBT[J]. 半导体学报,2003,24(6):6，586-591.
APA	李俊峰.,程序.,吴郁.,刘兴明.,王哲.,...&韩郑生.(2003).一种高性能的新结构IGBT.半导体学报,24(6),6，586-591.
MLA	李俊峰,et al."一种高性能的新结构IGBT".半导体学报 24.6(2003):6，586-591.