基于CMOS的RFIC的发展现状
胡勇; 朱亚江; 杨旭; 陈守顺; 黄广宇
刊名微电子学
2002
卷号32期号:4页码:4,283_286
关键词射频集成电路 低噪声放大器 功率放大器 压控振荡器 开关
ISSN号1004-3365
产权排序1
英文摘要目前,射频电路存在广阔的市场,成为无线通信领域内研究的热点之一。文章主要介绍了基于CMOS工艺的射频电路的研完现状。
公开日期2010-05-25
内容类型期刊论文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/764]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
胡勇,朱亚江,杨旭,等. 基于CMOS的RFIC的发展现状[J]. 微电子学,2002,32(4):4,283_286.
APA 胡勇,朱亚江,杨旭,陈守顺,&黄广宇.(2002).基于CMOS的RFIC的发展现状.微电子学,32(4),4,283_286.
MLA 胡勇,et al."基于CMOS的RFIC的发展现状".微电子学 32.4(2002):4,283_286.
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