纳米硅薄膜的发光特性研究

	纳米硅薄膜的发光特性研究
	傅东锋; 刘明
刊名	固体电子学研究与进展
	2001
卷号	21 期号:1 页码:3，57-59
关键词	纳米硅
ISSN号	1000-3819
英文摘要	研究了nc-Si:H薄膜的光致发光（PL），分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品，晶粒尺寸有一上限，其值在4－5nm. 1－77K，nc-Si:H薄膜的发光强度几科没有变化；当温度高于77K，发光强度指数式下降。随温度升高，发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si:H光致发光机理，用量子限制－发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程，认为载流子在晶粒内部激发后，弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。
语种	中文
公开日期	2010-05-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/704]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	傅东锋,刘明. 纳米硅薄膜的发光特性研究[J]. 固体电子学研究与进展,2001,21(1):3，57-59.
APA	傅东锋,&刘明.(2001).纳米硅薄膜的发光特性研究.固体电子学研究与进展,21(1),3，57-59.
MLA	傅东锋,et al."纳米硅薄膜的发光特性研究".固体电子学研究与进展 21.1(2001):3，57-59.