纳米硅薄膜的发光特性研究 | |
傅东锋; 刘明![]() | |
刊名 | 固体电子学研究与进展
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2001 | |
卷号 | 21期号:1页码:3,57-59 |
关键词 | 纳米硅 |
ISSN号 | 1000-3819 |
英文摘要 | 研究了nc-Si:H薄膜的光致发光(PL),分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品,晶粒尺寸有一上限,其值在4-5nm. 1-77K,nc-Si:H薄膜的发光强度几科没有变化;当温度高于77K,发光强度指数式下降。随温度升高,发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si:H光致发光机理,用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程,认为载流子在晶粒内部激发后,弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/704] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 傅东锋,刘明. 纳米硅薄膜的发光特性研究[J]. 固体电子学研究与进展,2001,21(1):3,57-59. |
APA | 傅东锋,&刘明.(2001).纳米硅薄膜的发光特性研究.固体电子学研究与进展,21(1),3,57-59. |
MLA | 傅东锋,et al."纳米硅薄膜的发光特性研究".固体电子学研究与进展 21.1(2001):3,57-59. |
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