PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究

	PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究
	刘明; 彭英才
刊名	河北大学学报
	1999
卷号	19 期号:3 页码:5,233-237
关键词	显微结构电导率氢化纳米硅薄膜 Pecvd
ISSN号	1000-1565
产权排序	2
英文摘要	采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，以高Ｈ２稀释的ＳｉＨ４作为反应气体源，以ＰＨ３作为Ｐ原子的掺杂剂，在Ｐ型（１００）单昌硅（ｃ－ｓｉ）衬底下，成功地生长了掺Ｐ的纳米硅蓦地膜层结构的Ｒａｍａｎ谱分析和高分辨率电子显微镜观测指出：与本征ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜相比，ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ
语种	中文
公开日期	2010-05-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/572]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,彭英才. PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究[J]. 河北大学学报,1999,19(3):5,233-237.
APA	刘明,&彭英才.(1999).PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究.河北大学学报,19(3),5,233-237.
MLA	刘明,et al."PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究".河北大学学报 19.3(1999):5,233-237.