PECVD生长nc—Si:H膜的掺杂特性研究 | |
刘明![]() | |
刊名 | 河北大学学报
![]() |
1999 | |
卷号 | 19期号:3页码:5,233-237 |
关键词 | 显微结构 电导率 氢化 纳米硅 薄膜 Pecvd |
ISSN号 | 1000-1565 |
产权排序 | 2 |
英文摘要 | 采用常规PECVD工艺,以高H2稀释的SiH4作为反应气体源,以PH3作为P原子的掺杂剂,在P型(100)单昌硅(c-si)衬底下,成功地生长了掺P的纳米硅蓦地膜层结构的Raman谱分析和高分辨率电子显微镜观测指出:与本征nc-Si:H膜相比,nc-Si(P):H |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/572] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,彭英才. PECVD生长nc—Si:H膜的掺杂特性研究[J]. 河北大学学报,1999,19(3):5,233-237. |
APA | 刘明,&彭英才.(1999).PECVD生长nc—Si:H膜的掺杂特性研究.河北大学学报,19(3),5,233-237. |
MLA | 刘明,et al."PECVD生长nc—Si:H膜的掺杂特性研究".河北大学学报 19.3(1999):5,233-237. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论