纳米级工艺对物理设计的影响

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	纳米级工艺对物理设计的影响
	赵继业; 杨旭
刊名	信息技术快报
	2008-03-16
卷号	6 期号:2 页码:25
关键词	纳米级工艺超大规模集成电路芯片在片波动物理设计
英文摘要	随着微电子技术的进步，超大规模集成电路（VLSI）的特征尺寸已经步入纳米范围。纳米级工艺存在着很多不同于以往微米、亚微米工艺的特点，因此为制造和设计都带来了很多难题，诸如光刻、漏电功耗、可制造性设计、芯片在片参数波动等，为了保证设计的进度和质量，就必须针对这些特点进行深入分析，并建立全新的分析设计方法和手段。
学科主题	计算机系统结构
语种	中文
公开日期	2009-12-18
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ictir.ict.ac.cn/handle/311040/48]
专题	信息技术快报_2008
推荐引用方式 GB/T 7714	赵继业,杨旭. 纳米级工艺对物理设计的影响[J]. 信息技术快报,2008,6(2):25.
APA	赵继业,&杨旭.(2008).纳米级工艺对物理设计的影响.信息技术快报,6(2),25.
MLA	赵继业,et al."纳米级工艺对物理设计的影响".信息技术快报 6.2(2008):25.