纳米级工艺对物理设计的影响 | |
赵继业; 杨旭 | |
刊名 | 信息技术快报
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2008-03-16 | |
卷号 | 6期号:2页码:25 |
关键词 | 纳米级工艺 超大规模集成电路 芯片在片波动 物理设计 |
英文摘要 | 随着微电子技术的进步,超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸已经步入纳米范围。纳米级工艺存在着很多不同于以往微米、亚微米工艺的特点,因此为制造和设计都带来了很多难题,诸如光刻、漏电功耗、可制造性设计、芯片在片参数波动等,为了保证设计的进度和质量,就必须针对这些特点进行深入分析,并建立全新的分析设计方法和手段。 |
学科主题 | 计算机系统结构 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2009-12-18 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ictir.ict.ac.cn/handle/311040/48] ![]() |
专题 | 信息技术快报_2008 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵继业,杨旭. 纳米级工艺对物理设计的影响[J]. 信息技术快报,2008,6(2):25. |
APA | 赵继业,&杨旭.(2008).纳米级工艺对物理设计的影响.信息技术快报,6(2),25. |
MLA | 赵继业,et al."纳米级工艺对物理设计的影响".信息技术快报 6.2(2008):25. |
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