C_(60)薄膜的离子注入损伤研究
邹云娟 ; 严辉 ; 陈光华 ; 金运范 ; 杨茹
刊名物理学报
1998-11-12
期号11
关键词离子注入:9002 注入剂量:2450 电子能量转移:2109 非晶化:1534 电子阻止本领:1147 拉曼谱:1117 核阻止本领:1108 离子辐射损伤:1031 非晶碳:936 重离子加速器:634
英文摘要The C 60 films have been implanted with 120—360keV H,N, Ar and Mo ions by using a 200keV heavy ion accelerator. The samples were investigated by Raman spectra. The results showed an exponential decrease of intensity for 1469cm -1 line depending on the kind of ions and dose. There appeared a structural transformation of C 60 to amorphous carbon at certain doses, which is correlated to the nuclear energy transfer. H ions implantation resulted in an asymmetrical broadening of 1469cm ...
语种中文
资助机构北京市自然科学基金,北京市跨世纪人才工程专项基金
公开日期2011-09-23
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/11637]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
邹云娟,严辉,陈光华,等. C_(60)薄膜的离子注入损伤研究[J]. 物理学报,1998(11).
APA 邹云娟,严辉,陈光华,金运范,&杨茹.(1998).C_(60)薄膜的离子注入损伤研究.物理学报(11).
MLA 邹云娟,et al."C_(60)薄膜的离子注入损伤研究".物理学报 .11(1998).
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