高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究

	高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究
	朱智勇,孙友梅,金运范,李长林,侯明东,刘昌龙,张崇宏,孟庆华,王志光,陈克勤,鲁光军
刊名	核技术
	2001-06-10
卷号	2001 期号:06 页码:439-444
关键词	二氧化硅玻璃氩离子辐照正电子寿命微观结构
通讯作者	朱智勇
语种	中文
公开日期	2010-10-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4803]
专题	近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前）
推荐引用方式 GB/T 7714	朱智勇,孙友梅,金运范,李长林,侯明东,刘昌龙,张崇宏,孟庆华,王志光,陈克勤,鲁光军. 高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究[J]. 核技术,2001,2001(06):439-444.
APA	朱智勇,孙友梅,金运范,李长林,侯明东,刘昌龙,张崇宏,孟庆华,王志光,陈克勤,鲁光军.(2001).高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究.核技术,2001(06),439-444.
MLA	朱智勇,孙友梅,金运范,李长林,侯明东,刘昌龙,张崇宏,孟庆华,王志光,陈克勤,鲁光军."高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究".核技术 2001.06(2001):439-444.