高能质子引起器件单粒子效应的研究方法

	高能质子引起器件单粒子效应的研究方法
	刘杰,侯明东,张庆祥,甑红楼,孙友梅,刘昌龙,王志光,朱智勇,金运范
刊名	原子核物理评论
	2002-12-30
卷号	2002 期号:04 页码:411-415
关键词	单粒子效应质子半导体器件
通讯作者	刘杰
语种	中文
公开日期	2010-10-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4303]
专题	近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘杰,侯明东,张庆祥,甑红楼,孙友梅,刘昌龙,王志光,朱智勇,金运范. 高能质子引起器件单粒子效应的研究方法[J]. 原子核物理评论,2002,2002(04):411-415.
APA	刘杰,侯明东,张庆祥,甑红楼,孙友梅,刘昌龙,王志光,朱智勇,金运范.(2002).高能质子引起器件单粒子效应的研究方法.原子核物理评论,2002(04),411-415.
MLA	刘杰,侯明东,张庆祥,甑红楼,孙友梅,刘昌龙,王志光,朱智勇,金运范."高能质子引起器件单粒子效应的研究方法".原子核物理评论 2002.04(2002):411-415.