高能质子引起器件单粒子效应的研究方法 | |
刘杰,侯明东,张庆祥,甑红楼,孙友梅,刘昌龙,王志光,朱智勇,金运范 | |
刊名 | 原子核物理评论
![]() |
2002-12-30 | |
卷号 | 2002期号:04页码:411-415 |
关键词 | 单粒子效应 质子 半导体器件 |
通讯作者 | 刘杰 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-10-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4303] ![]() |
专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘杰,侯明东,张庆祥,甑红楼,孙友梅,刘昌龙,王志光,朱智勇,金运范. 高能质子引起器件单粒子效应的研究方法[J]. 原子核物理评论,2002,2002(04):411-415. |
APA | 刘杰,侯明东,张庆祥,甑红楼,孙友梅,刘昌龙,王志光,朱智勇,金运范.(2002).高能质子引起器件单粒子效应的研究方法.原子核物理评论,2002(04),411-415. |
MLA | 刘杰,侯明东,张庆祥,甑红楼,孙友梅,刘昌龙,王志光,朱智勇,金运范."高能质子引起器件单粒子效应的研究方法".原子核物理评论 2002.04(2002):411-415. |
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