高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究
赵志明,王志光,A.Benyagoub,M.Toulemonde,F.Levesque,宋银,金运范,孙友梅
刊名高能物理与核物理
2005-08-21
卷号2005期号:08页码:824-829
关键词低能离子注入 高能重离子辐照 原子混合 Ftir谱 相变 成键
通讯作者赵志明
语种中文
公开日期2010-10-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/3417]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
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GB/T 7714
赵志明,王志光,A.Benyagoub,M.Toulemonde,F.Levesque,宋银,金运范,孙友梅. 高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究[J]. 高能物理与核物理,2005,2005(08):824-829.
APA 赵志明,王志光,A.Benyagoub,M.Toulemonde,F.Levesque,宋银,金运范,孙友梅.(2005).高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究.高能物理与核物理,2005(08),824-829.
MLA 赵志明,王志光,A.Benyagoub,M.Toulemonde,F.Levesque,宋银,金运范,孙友梅."高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究".高能物理与核物理 2005.08(2005):824-829.
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