| 题名 | 在真空室内表面形成非蒸发吸气剂膜（TiZrV）抽气层的特性研究 |
| 作者 | 蒙峻 |
| 答辩日期 | 2009-07-01 |
| 导师 | 杨晓天 |
| 关键词 | 非蒸发型吸气剂 |
| 学位名称 | 博士 |
| 其他题名 | Property Study of TiZrV Non-Evaporable Getter Films as Pumping Coatings in the Inner Surface of Vacuum Chamber |
| 英文摘要 | TiZrV合金吸气剂材料能够对气体分子进行化学吸附，并且最低激活温度Ta只有180℃，可以广泛地应用在各种设备中，例如粒子加速器，惰性气体净化装置，H2等离子体净化装置，托克马克中的H2回收装置。本论文通过计算设计，建立了二极直流磁控溅射系统，在国内首次对加速器细长真空管道进行了TiZrV膜层溅射沉积，使其成为管道泵。测试结果表明真空单元在TiZrVNEG处理后极限压力降低，同时压力分布梯度过大的问题得以解决；在镀膜系统的结构设计中创造性地加入了可压缩波纹管，解决了细长管道镀膜中阴极下垂引起短路及溅射距离不等的难题，使阴极始终处于管道中心，保证了镀膜的均匀性。论文对沉积膜层从基体材料、基体的表面粗糙度、基体温度、膜层成分对激活温度和真空性能的影响等方面进行了研究。对于理想状态下的磁控溅射，不同的基体材料会导致不同的膜层形态，但是具有相同的晶体结构和激活温度。通过沉积在粗糙的铜基材来增大表面粗糙度，不能加速激活过程，但明显增大了抽速和表面吸附容量。将溅射沉积过程中的基体温度（Ts）升高到250℃可以在不改变晶体结构的同时增大膜层的表面粗糙度。对于获得理想的粘附系数和表面吸气容量来说，基体温度Ts=250℃。使用粗糙的基体材料并在镀膜时将基体温度Ts保持在250℃可以获得最大的表面吸气容量。最大的抽速获得通过加热膜层到250℃。温度进一步升高，抽速开始下降 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 核技术及应用 |
| 公开日期 | 2010-01-24 |
| 页码 | 107 |
| 分类号 | TL99 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/381]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒙峻. 在真空室内表面形成非蒸发吸气剂膜（TiZrV）抽气层的特性研究[D]. 2009. |
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