单层MoS2力学行为的计算模拟研究

CORC > 北京大学 > 工学院

	单层MoS2力学行为的计算模拟研究
	曹国鑫
	2016
关键词	MoS2 预测材料场函数计算模拟力学性能第一性原理变形行为低维材料有效测量拉伸性能
英文摘要	单层MoS2材料是一种具有直接带宽的二维材料,因而可以有效的用于纳米元器件的制备,但是由于它也是一种二维材料,它的力学性能很难通过实验有效测量。分子计算模拟是目前研究低维材料力学性能的一种主要手段,它主要通过经验力场函数来模拟材料的变形行为。对于单层MoS2来说,目前所采用的经验力场函数是否能准确的预测材料的力学行为还并不清楚。本文通过第一性原理检; 中国力学学会理性力学和力学中的数学方法专业委员会; 1
会议录	第十五届现代数学和力学学术会议
语种	英语
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/487257]
专题	工学院
推荐引用方式 GB/T 7714	曹国鑫. 单层MoS2力学行为的计算模拟研究[C]. 见:.