逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现

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	逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
	邓小社 ; 郭绪阳 ; 李泽宏 ; 张波 ; 张大成
刊名	半导体技术
	2017
关键词	逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT) 载流子寿命反向恢复时间回扫现象开关特性
英文摘要	逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。; 09; 669-674+695
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/463802]
专题	软件与微电子学院
推荐引用方式 GB/T 7714	邓小社,郭绪阳,李泽宏,等. 逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现[J]. 半导体技术,2017.
APA	邓小社,郭绪阳,李泽宏,张波,&张大成.(2017).逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现.半导体技术.
MLA	邓小社,et al."逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现".半导体技术 (2017).