PVD-AlN薄膜对LED特性之提升

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	PVD-AlN薄膜对LED特性之提升
	刘春煜 ; 江佩芸 ; 许广元 ; 邓顺达 ; 张忠勋
刊名	中国新技术新产品
	2017
关键词	PVD-AlN LED 亮度缓冲层
英文摘要	本实验用物理气象沉积法(PVD)于蓝宝石衬底上镀氮化铝薄膜,取代传统MOCVD法生长的低温氮化镓缓冲层.随氮化铝越厚n值也越大,wafer受到的压缩应力越大.从XRD得知,氮化铝薄膜越薄(102)半高宽明显越小且(002)半高宽间变得比较大,因为(002)面产生的缺陷决定于材料间晶格的差异,则(102)半高宽的变化来自于结构的应力释放,薄的氮化铝薄膜就可有效释放当中的应力.最后用氮化铝缓冲层量之亮度比低温氮化镓缓冲层会增加1%,亮度30.5mW.; 17; 15-16
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/463670]
专题	软件与微电子学院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘春煜,江佩芸,许广元,等. PVD-AlN薄膜对LED特性之提升[J]. 中国新技术新产品,2017.
APA	刘春煜,江佩芸,许广元,邓顺达,&张忠勋.(2017).PVD-AlN薄膜对LED特性之提升.中国新技术新产品.
MLA	刘春煜,et al."PVD-AlN薄膜对LED特性之提升".中国新技术新产品 (2017).