预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用

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	预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用
	许晓燕 ; 陈文杰 ; 刘兴龙
刊名	半导体技术
	2016
关键词	预非晶化激光退火共注入硼扩散超浅结
英文摘要	针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),二次离子质谱(SIMS),扩展电阻法(SRP)等测试对超浅结特性进行评估。结果表明,采用激光退火和碳共注入的方式可有效抑制硼扩散和减小结深。锗预非晶化后5 ke V,1×10~(15)/cm~2条件下注入的硼在激光退火(波长532 nm、脉冲宽度小于20 ns、能量密度0.25 J/cm~2)中的再扩散量非常小,退火后结深较注入结深仅增加6 nm,但激活率仅为24%。相同的硼掺杂条件下采用碳的共注入,常规快速热退火下的结深较未注碳样品减小49%,而且实现了84%的硼激活率。在单项实验基础上,进一步将预非晶化和碳共注入技术应用于纳米尺度器件制作,实验制备了亚50 nm PMOS器件,器件在V_(dd)=-1.2 V时的电流开关比大于10~4,亚阈值斜率为100 m V/dec,漏致势垒降低(DIBL)值为104 m V/V。; 国家科技重大专项资助项目; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 10; 764-768; 41
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/478793]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	许晓燕,陈文杰,刘兴龙. 预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用[J]. 半导体技术,2016.
APA	许晓燕,陈文杰,&刘兴龙.(2016).预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用.半导体技术.
MLA	许晓燕,et al."预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用".半导体技术 (2016).