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	A design model of gate-coupling NMOS ESD protection circuit
	Yuan, Wang ; Song, Jia ; Zhongjian, Chen ; Ganggang, Zhang ; Lijiu, Ji
	2004
英文摘要	A design model is proposed to exactly simulate operating principles of gate-coupling NMOS (GCNMOS) ESD protection circuit under ESD stress. Using this model, adequate coupling capacitor Cn and coupling resistor R n can be calculated to improve the efficiency of GCNMOS ESD protection circuit. ? 2004 IEEE.; EI; 0
语种	英语
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/295343]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	Yuan, Wang,Song, Jia,Zhongjian, Chen,et al. A design model of gate-coupling NMOS ESD protection circuit. 2004-01-01.

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