新型全硅LIGA掩模板制造工艺研究 | |
陈迪 ; 雷蔚 ; 王水 ; 张大成 ; 伊福廷 ; 李昌敏 ; 郭晓芸 ; 毛海平 | |
2000 | |
关键词 | LIGA掩模板 ICP深刻蚀 LIGA技术 刻蚀工艺 掩摸板 微电铸 LIGA |
英文摘要 | 本文利用ICP硅深层刻蚀工艺,制备了一种全新的LIGA掩模板.与一般的LIGA掩模板比较,该掩模板的最大特色在于其支撑层和吸收层都是由硅材料构成,支撑层与吸收层之间没有结合力问题和热膨胀系数匹配问题.该X光掩模板还具有工艺简单、价格低廉等优点.理论分析表明,该掩模板在中长波长区域可以很好地满足同步辐射曝光的要求.利用该掩模板在北京同步辐射光源进行光刻,并进一步进行微电铸,均得到了比较理想的结果.; 0 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 其他 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/286302] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈迪,雷蔚,王水,等. 新型全硅LIGA掩模板制造工艺研究. 2000-01-01. |
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