Vg=Vd/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2003.12.005

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	Vg=Vd/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响; Influence of Device Narrowing on HALO-pMOSFETs' Degradation Under Vg=Vd/2 Stress Mode
	胡靖 ; 赵要 ; 许铭真 ; 谭长华
刊名	半导体学报
	2003
关键词	宽度增强退化尖断电压电流拥挤效应 width-enhanced degradation pinch-off voltage current-crowding effect
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2003.12.005
英文摘要	讨论了最差应力模式下(Vg=Vd/2)宽沟和窄沟器件的退化特性.随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化.不同沟道宽度pMOSFETs的主要退化机制是界面态产生.沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率.通过分析电流拥挤效应,阈值电压随沟道宽度的变化,速度饱和区特征长度的变化和HALO结构串联阻抗这些可能原因,得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 12; 1255-1260; 24
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/284718]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	胡靖,赵要,许铭真,等. Vg=Vd/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响, Influence of Device Narrowing on HALO-pMOSFETs' Degradation Under Vg=Vd/2 Stress Mode[J]. 半导体学报,2003.
APA	胡靖,赵要,许铭真,&谭长华.(2003).Vg=Vd/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响.半导体学报.
MLA	胡靖,et al."Vg=Vd/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响".半导体学报 (2003).