纳米级MOSFET的模拟

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	纳米级MOSFET的模拟; Device Simulation for Nanoscale MOSFET
	刘晓彦 ; 刘恩峰 ; 杜刚 ; 刘弋波 ; 夏志良 ; 韩汝琦
刊名	半导体学报
	2003
关键词	纳米尺度半导体器件模拟流体动力学量子效应
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.034
英文摘要	利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; z1; 148-152; 24
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/284690]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘晓彦,刘恩峰,杜刚,等. 纳米级MOSFET的模拟, Device Simulation for Nanoscale MOSFET[J]. 半导体学报,2003.
APA	刘晓彦,刘恩峰,杜刚,刘弋波,夏志良,&韩汝琦.(2003).纳米级MOSFET的模拟.半导体学报.
MLA	刘晓彦,et al."纳米级MOSFET的模拟".半导体学报 (2003).