外腔半导体激光器设计与高次谐波稳频

doi:10.3321/j.issn:0258-7025.2007.07.002

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	外腔半导体激光器设计与高次谐波稳频; Design of 780 nm External Cavity Semiconductor Laser and Higher Harmonic Frequency Stabilization
	陈文兰 ; 袁杰 ; 齐向晖 ; 伊林 ; 汪中 ; 刘新元 ; 陈徐宗
刊名	中国激光
	2007
关键词	激光技术光栅外腔半导体激光器高次谐波稳频
DOI	10.3321/j.issn:0258-7025.2007.07.002
英文摘要	研究了利特罗(Littrow)结构外腔半导体激光器的结构参量对激光连续可调范围的影响.给出了反射镜转轴等处的机械加工误差对激光波长连续可调范围所造成的影响的数值计算结果.介绍了半导体激光器外腔结构设计的具体细节要点.利用该设计制作的外腔只需要配合商用半导体激光管便可以得到优质的780 nm激光输出,经测量其线宽小于1 MHz,连续可调谐范围大于3 GHz.利用腔外Rb饱和吸收谱的三、五次谐波稳频方法对半导体激光器进行了稳频.其中提出了优化激光频率短期稳定度的方法,并对调制深度的选择给出了详细的理论解释.根据该优化方法设计出稳频系统对半导体激光器进行稳频,得到了稳定度达到10-12量级的半导体激光输出.; 国家自然科学基金; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 国家自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 7; 895-900; 34
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/283543]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	陈文兰,袁杰,齐向晖,等. 外腔半导体激光器设计与高次谐波稳频, Design of 780 nm External Cavity Semiconductor Laser and Higher Harmonic Frequency Stabilization[J]. 中国激光,2007.
APA	陈文兰.,袁杰.,齐向晖.,伊林.,汪中.,...&陈徐宗.(2007).外腔半导体激光器设计与高次谐波稳频.中国激光.
MLA	陈文兰,et al."外腔半导体激光器设计与高次谐波稳频".中国激光 (2007).