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	热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN MIS结构的工艺及泄漏电流特性研究
	董志华 ; 王金延 ; 郝一龙 ; 文正 ; 王阳元
	2008
关键词	二氧化钛薄膜 热氧化电子束蒸发 泄漏电流 退火工艺
英文摘要	本文提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的法法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。我们分析了不同的Ti热氧化条件及不同的退火工艺对于MIS结构的漏电流影响。经过工艺优化制备出的MIS结构漏电流密度可低至10-7A/cm2数量级,而击穿电压约为300V。实验数据表明,这种热氧化生成TiO2绝缘栅的制备工艺简单、成本低,抑制栅漏电效果显著,有望应用于AlGaN/GaN基HEMT器件制备工艺中。; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/279891]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	董志华,王金延,郝一龙,等. 热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN MIS结构的工艺及泄漏电流特性研究. 2008-01-01.

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