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微加工工艺应力的喇曼在线测量; Raman Online Measurement of Stress Resulting from Micromachining
桑胜波 ; 薛晨阳 ; 张文栋 ; 熊继军 ; 阮勇 ; 张大成 ; 郝一龙
刊名半导体学报
2006
关键词微加工工艺 残余应力 喇曼 在线测量
DOI10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.038
英文摘要针对微加工工艺过程造成的残余应力,文中提出了喇曼在线测量方法,并对最常用的三种微加工工艺:淀积、腐蚀或刻蚀及键合进行了喇曼在线测量.测量结果与理论分析相符,淀积工艺中,氮化硅对硅片造成的残余应力比氧化硅造成的大,且氧化硅在硅衬底上形成的残余应力是压应力,氮化硅形成的是张应力;刻蚀工艺和键合工艺对硅片造成了相对较大的应力分布,且都为张应力,最大值超过300MPa.; 国家科技攻关项目; 国家重点实验室基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 6; 1141-1146; 27
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/279386]  
专题信息科学技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
桑胜波,薛晨阳,张文栋,等. 微加工工艺应力的喇曼在线测量, Raman Online Measurement of Stress Resulting from Micromachining[J]. 半导体学报,2006.
APA 桑胜波.,薛晨阳.,张文栋.,熊继军.,阮勇.,...&郝一龙.(2006).微加工工艺应力的喇曼在线测量.半导体学报.
MLA 桑胜波,et al."微加工工艺应力的喇曼在线测量".半导体学报 (2006).
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