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新型静电泄放保护电路设计方法; Novel Electrostatic Discharge Protection Design Method
王源 ; 陈中建 ; 贾嵩 ; 鲁文高 ; 傅一玲 ; 吉利久
刊名半导体学报
2007
关键词静电泄放 人体模型 MOSFET 输人输出单元库
DOI10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.031
英文摘要提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,缩短了设计周期.利用该方法完成了一套基于0.5μm CMOS工艺、带ESD保护电路的输入输出单元库设计,该单元库通过了5kV的人体模型ESD测试.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 7; 1156-1160; 28
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/278401]  
专题信息科学技术学院
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GB/T 7714
王源,陈中建,贾嵩,等. 新型静电泄放保护电路设计方法, Novel Electrostatic Discharge Protection Design Method[J]. 半导体学报,2007.
APA 王源,陈中建,贾嵩,鲁文高,傅一玲,&吉利久.(2007).新型静电泄放保护电路设计方法.半导体学报.
MLA 王源,et al."新型静电泄放保护电路设计方法".半导体学报 (2007).
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