QQ客服 官方微博 反馈留言

	ULTRA-B:新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展
	何进 ; 张立宁 ; 黄宇聪 ; 吴佳珍 ; 徐姣姣 ; 周致赜 ; 林信南
	2009
关键词	表面势 量子效应 多晶硅效应 纳米集成电路 互补金属氧化物半导体 电流解析方程
英文摘要	本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方程和计算；MOSFET量子效应的模拟模型发展；小尺度效应模型的建立和分析；多晶硅的统一物理模型建立；SMIC的90纳米工艺数据模型验证和模型的多层次实现。最后，展望了ULTRA-B的进一步研究和发展方向，希望ULTRA-B最终可以为国内SOC电路的发展和设计提供支持和服务。; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/272585]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	何进,张立宁,黄宇聪,等. ULTRA-B:新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展. 2009-01-01.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。