ULTRA-B:新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展 | |
何进 ; 张立宁 ; 黄宇聪 ; 吴佳珍 ; 徐姣姣 ; 周致赜 ; 林信南 | |
2009 | |
关键词 | 表面势 量子效应 多晶硅效应 纳米集成电路 互补金属氧化物半导体 电流解析方程 |
英文摘要 | 本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容:完整MOSFET表面势方程基本原理的推导;MOSFET表面势的物理解;基于物理的电流解析方程和计算;MOSFET量子效应的模拟模型发展;小尺度效应模型的建立和分析;多晶硅的统一物理模型建立;SMIC的90纳米工艺数据模型验证和模型的多层次实现。最后,展望了ULTRA-B的进一步研究和发展方向,希望ULTRA-B最终可以为国内SOC电路的发展和设计提供支持和服务。; 0 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 其他 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/272585] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 何进,张立宁,黄宇聪,等. ULTRA-B:新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展. 2009-01-01. |
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