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一种基于电磁带隙谐振结构的K波段压控振荡器; A K-Band VCO Based on EBG Resonator
徐峰 ; 王新安 ; 陈勖
刊名北京大学学报 自然科学版
2013
关键词K波段 压控振荡器 赝高电子迁移率晶体管 电磁带隙 K-band VCO pHEMT EBG
英文摘要报道一种工作在K波段的压控振荡器的设计和性能.该压控振荡器采用基于pHEMT工艺的有源器件,用紧凑的边缘通孔电磁带隙谐振结构替代传统的谐振电路,实现压控振荡器的小型化.测试结果表明,该电路工作频段为22.9~25.6 GHz,在23.6 GHz的最大输出功率为10.4 dBm,且在24~25.6 GHz频段的输出功率平坦度小于1 dB.在偏离载频1 MHz处测得的压控振荡器相位噪声约为-95 dBc/Hz.整体电路面积为17 mm×7.5 mm.; 深圳市基础研究计划; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 383-388; 49
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/267195]  
专题信息科学技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
徐峰,王新安,陈勖. 一种基于电磁带隙谐振结构的K波段压控振荡器, A K-Band VCO Based on EBG Resonator[J]. 北京大学学报 自然科学版,2013.
APA 徐峰,王新安,&陈勖.(2013).一种基于电磁带隙谐振结构的K波段压控振荡器.北京大学学报 自然科学版.
MLA 徐峰,et al."一种基于电磁带隙谐振结构的K波段压控振荡器".北京大学学报 自然科学版 (2013).
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